STM8L051F3P6TR อิเล็กทรอนิกส์

STM8L051F3P6TR Electronics มี MCU 8 บิตที่ใช้พลังงานต่ำเป็นพิเศษพร้อมแฟลช 8 Kbytes, CPU 16 MHz, EEPROM ในตัว STM8L051F3P6TR มีแกน CPU STM8 ที่ได้รับการปรับปรุงซึ่งให้พลังการประมวลผลที่เพิ่มขึ้น (สูงสุด 16 MIPS ที่ 16 MHz) ในขณะที่ยังคงข้อดีของ สถาปัตยกรรม CISC พร้อมความหนาแน่นของโค้ดที่ได้รับการปรับปรุง พื้นที่การกำหนดแอดเดรสเชิงเส้น 24 บิต และสถาปัตยกรรมที่ปรับให้เหมาะสมสำหรับการดำเนินการที่ใช้พลังงานต่ำ

STM8L051F3P6TR เป็นสมาชิกของตระกูล 8 บิตพลังงานต่ำพิเศษ STM8L STM8L051F3P6TR MCU มีโมดูลดีบักในตัวพร้อมอินเทอร์เฟซฮาร์ดแวร์ (SWIM) ซึ่งช่วยให้สามารถดีบัก In-Application ที่ไม่ล่วงล้ำและการเขียนโปรแกรม Flash ที่รวดเร็วเป็นพิเศษ มีข้อมูลแบบฝัง EEPROM และหน่วยความจำแฟลชสำหรับโปรแกรม singlesupply ที่ใช้พลังงานต่ำ แรงดันต่ำ

อุปกรณ์นี้รวมเอา I/O และอุปกรณ์ต่อพ่วงที่ได้รับการปรับปรุงมากมาย, ADC 12 บิต, นาฬิกาเรียลไทม์, ตัวจับเวลา 16 บิตสองตัว, ตัวจับเวลา 8 บิตหนึ่งตัว รวมถึงอินเทอร์เฟซการสื่อสารมาตรฐานเช่น SPI, อินเทอร์เฟซ I2C และ USART หนึ่งรายการ

การออกแบบโมดูลาร์ของชุดอุปกรณ์ต่อพ่วงช่วยให้อุปกรณ์นี้มีอุปกรณ์ต่อพ่วงที่สามารถพบได้ในตระกูลไมโครคอนโทรลเลอร์ ST ต่างๆ รวมถึงตระกูล 32 บิต สิ่งนี้ทำให้การเปลี่ยนไปใช้ครอบครัวอื่นทำได้ง่ายมาก โดยได้รับการสนับสนุนจากการใช้ชุดเครื่องมือในการพัฒนาร่วมกัน

STM8L051F3P6TR เนื่องจากสายผลิตภัณฑ์พลังงานต่ำพิเศษของ STM8L ทั้งหมดนั้นใช้สถาปัตยกรรมเดียวกันกับการแมปหน่วยความจำเดียวกันและพินเอาต์ที่สอดคล้องกัน

คุณสมบัติของสินค้า

พิมพ์	คุณสมบัติหลักของผลิตภัณฑ์
STM8L051F3P6TR	สภาพการใช้งาน แหล่งจ่ายไฟทำงาน: 1.8 V ถึง 3.6 V ช่วงอุณหภูมิ: −40°C ถึง 85°C
	คุณสมบัติพลังงานต่ำ โหมดพลังงานต่ำ 5 โหมด: รอ, ใช้พลังงานต่ำ (5.1 µA), รอพลังงานต่ำ (3 µA), Activehalt พร้อม RTC (1.3 µA), หยุด (350 nA) การรั่วไหลต่ำมากต่อ I/O: 50 nA –ปลุกอย่างรวดเร็วจากหยุด: 5 µs
	คอร์ STM8 ขั้นสูง –สถาปัตยกรรมฮาร์วาร์ดและไปป์ไลน์ 3 ขั้นตอน ความถี่สูงสุด: 16 MHz, 16 CISC MIPS peak –ถึง 40 แหล่งที่มาขัดจังหวะภายนอก
	รีเซ็ตและการจัดการอุปทาน €“พลังงานต่ำ รีเซ็ต BOR ที่ปลอดภัยเป็นพิเศษด้วย 5 เกณฑ์ที่เลือกได้ €“POR/PDR . พลังงานต่ำพิเศษ เครื่องตรวจจับแรงดันไฟฟ้าที่ตั้งโปรแกรมได้ (PVD)