STM32F302RET6 อิเล็กทรอนิกส์

Kinglionski เป็นตัวแทนและจัดจำหน่าย STMicroelectronics รุ่น STM32F302RET6 Electronics เน้นการค้าต่างประเทศของชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์เป็นเวลา 12 ปี ผลิตเฉพาะบรรจุภัณฑ์ใหม่และเป็นต้นฉบับด้วยราคาที่เหมาะสมและมีคุณภาพสูง และให้บริการส่วนใหญ่ในตลาดยุโรปและอเมริกา

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

STM32F302RET6 Electronics เป็นสัญญาณผสมหลัก MCUs Arm Cortex-M4 core พร้อม DSP และ FPU, หน่วยความจำแฟลช 512 Kbytes, CPU 72 MHz, MPU, ADC 5 MSPS 12 บิต, PGA, เครื่องเปรียบเทียบ STM32F302RET6 ขึ้นอยู่กับประสิทธิภาพสูง ARM® Cortex® -M4 แกน RISC 32 บิตที่มี FPU ทำงานที่ความถี่ 72 MHz และฝังหน่วยจุดลอยตัว (FPU) หน่วยป้องกันหน่วยความจำ (MPU) และมาโครเซลล์การติดตามแบบฝัง (ETM)

ตระกูลนี้รวมหน่วยความจำแบบฝังความเร็วสูง (หน่วยความจำแฟลช 512-Kbyte, SRAM 64-Kbyte), ตัวควบคุมหน่วยความจำที่ยืดหยุ่น (FSMC) สำหรับหน่วยความจำแบบคงที่ (SRAM, PSRAM, NOR และ NAND) และ I/O ที่ได้รับการปรับปรุงมากมาย และอุปกรณ์ต่อพ่วงที่เชื่อมต่อกับ AHB และรถบัส APB สองคัน

STM32F302RET6 ทำงานในช่วงอุณหภูมิ -40 ถึง +85°C และ -40 ถึง +105°C ตั้งแต่แหล่งจ่ายไฟ 2.0 ถึง 3.6 V ชุดโหมดประหยัดพลังงานที่ครอบคลุมช่วยให้สามารถออกแบบแอปพลิเคชันที่ใช้พลังงานต่ำได้ ตระกูล STM32F302xD/E นำเสนออุปกรณ์ในแพ็คเกจต่างๆ ตั้งแต่ 64 ถึง 144 พิน

คุณสมบัติของสินค้า

พิมพ์	คุณสมบัติหลักของผลิตภัณฑ์
STM32F302RET6	แกนหลัก: ARM® Cortex® -M4 ซีพียู 32 บิตพร้อม 72 MHz FPU, การคูณแบบรอบเดียวและ ส่วน HW, คำสั่ง DSP และ MPU (หน่วยป้องกันหน่วยความจำ)
	เงื่อนไขการใช้งาน: VDD ช่วงแรงดันไฟฟ้า VDDA: 2.0 V ถึง 3.6 V
	หน่วยคำนวณ CRC
	เมทริกซ์เชื่อมต่อถึงกัน

ภาพรวมของฟังก์ชันหลัก

ARM® คอร์เทกซ์® -M4 พร้อม FPU พร้อมแฟลชในตัวและ
SRAM
หน่วยป้องกันหน่วยความจำ (MPU)
หน่วยความจำแฟลชในตัว
SRAM แบบฝัง
โหมดบูต
การตรวจสอบความซ้ำซ้อนแบบวนซ้ำ (CRC)

แท็กยอดนิยม: STM32F302RET6 Electronics, China, ซัพพลายเออร์, ขายส่ง, ซื้อ, มีสินค้า, ใบเสนอราคา, ลดราคา